[发明专利]一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010981769.1 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112062563B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 彭彪林;于芳 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | C04B35/497 | 分类号： | C04B35/497;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 卢波 |
| 地址： | 530004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，是将PSINT前驱体溶液旋涂在衬底上面，得到湿膜；制得的湿膜首先在300‑350℃干燥5‑10min，然后在550‑600℃热解5‑10min，最后在700‑800℃于空气氛围中退火3‑5min，得到一层PSINT薄膜；重复以上步骤多次，得到多层PSINT薄膜；另外将制得的湿膜首先在300‑400℃干燥3‑5min，然后在500‑600℃热解3‑5min，得到一层PSINT薄膜；重复上述步骤多次，得到未完全晶化的PSINT薄膜，在700‑800℃于空气氛围中晶化30‑60min，得到完全晶化的PSINT薄膜；将得到的多层PSINT薄膜和得到的完全晶化的PSINT薄膜分别退火，即得所需薄膜。获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、电卡效应大等优点的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 psint 基高熵铁电 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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