[发明专利]一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)制备PSINT前驱体溶液，所述PSINT通式为PbSc_xIn_yNb_0.5-xTa_0.5-yO₃，其中0x0.5，0y0.5；

2)将步骤1)得到的PSINT前驱体溶液旋涂在衬底上面，得到湿膜；

3)按照如下3-1)或3-2)的任一步骤进行处理制备一层PSINT薄膜：

3-1)、将步骤2)制得的湿膜首先在300-350℃干燥5-10min，然后在550-600℃热解5-10min，最后在700-800℃于空气氛围中退火3-5min，得到一层PSINT薄膜，

3-2)、将步骤2)制得的湿膜首先在300-400℃干燥3-5min，然后在500-600℃热解3-5min，得到一层PSINT薄膜；

4)按照如下4-1)或4-2)的任一步骤进行处理制备多层PSINT薄膜：

4-1)、重复步骤2)和步骤3-1)多次，制得多层PSINT薄膜，

4-2)、重复步骤2)和步骤3-2)多次，制得多层未完全晶化的PSINT薄膜， 将多层未完全晶化的PSINT薄膜在700-800℃于空气氛围中晶化30-60min，得到完全晶化的多层PSINT薄膜；

5)将步骤4)所得的产品进行退火X个小时，X＝3-5h、8-10h、13-15h、18-20h或23-25h；

步骤1)所述的PSINT前驱体溶液由如下方法制得：将原料Pb(CH₃COO)₃、N₃O₉Sc·H₂O、InN₃O₉和C₁₀H₂₅O₅Nb于120℃溶解在冰醋酸和去离子水的混合液体中，然后将C₁₀H₂₅O₅Ta于室温溶解在冰醋酸和CH₃COCH₂COCH₃的混合液体中，最后将前面两种混合液再次混合于100-150℃搅拌30min，并放置24-30h，得到PSINT前驱体溶液。

2.根据权利要求1所述的PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤1)所述PSINT前驱体溶液浓度为0.3M。

3.根据权利要求1所述的PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤2)所述旋涂以4000-6000rpm的转速旋涂30-40s。

4.根据权利要求1所述的PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤4-1)制得12层PSINT薄膜。

5.根据权利要求1所述的PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤4-2)制得12层未完全晶化的PSINT薄膜。