[发明专利]形成半导体器件及其结构的方法在审
| 申请号： | 202010975099.2 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112653418A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 金松正恭 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/205 | 分类号： | H03H9/205;H03H3/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及形成半导体器件及其结构的方法。在一个实施方案中，形成滤波器电路以包括跨导放大器。该滤波器电路具有一对电容器，该对电容器连接在放大器的至少一个输入端与待滤波的输入信号之间。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 及其 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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