[发明专利]形成半导体器件及其结构的方法

说明书

本公开涉及形成半导体器件及其结构的方法。在一个实施方案中，形成滤波器电路以包括跨导放大器。该滤波器电路具有一对电容器，该对电容器连接在放大器的至少一个输入端与待滤波的输入信号之间。

背景技术

过去，半导体工业利用各种方法和结构来形成用于各种应用的滤波器。一个示例性应用是作为锁相环系统的滤波器。滤波器通常包括一个或多个电容器，以对由滤波器接收的信号进行滤波。在锁相环应用中，信号可能来自锁相环电路的相位频率检测器或其他部分。在一些应用中，滤波器具有大电容器，这导致滤波器的大物理尺寸。在半导体应用中，大电容器占据半导体器件的大部分，这导致较高成本。在一些实施方案中，电容器导致一些信号具有一些非线性变化。

因此，希望具有带有电容器的滤波器，该电容器占据较小面积，或具有较低成本，或产生较线性的信号。

附图说明

图1示意性地示出了根据本发明的锁相环系统的部分的实施方案的示例；

图2示意性地示出了根据本发明的差分滤波器电路的实施方案的示例的一部分，该差分滤波器电路可具有可以是图1的电路的一部分的另选实施方案的实施方案；

图3示意性地示出了根据本发明的等效电路的实施方案的示例，该等效电路可具有可以是图2的电路的另选实施方案的实施方案；

图4示意性地示出了根据本发明的另一个电路的实施方案的一部分的示例，该另一个电路可具有可以是图1的电路或另选地图2的电路的另选实施方案的实施方案；

图5示意性地示出了根据本发明的等效电路的实施方案的一部分的示例，该等效电路可具有可以是图4的电路的等效电路的实施方案；并且

图6示出了根据本发明的包括图2或另选地图4的电路的半导体器件的放大平面图。

为使图示清晰且简明，图中的元件未必按比例绘制，一些元件可能为了进行示意性的说明而被夸大，而且除非另外规定，否则不同图中的相同参考标号指示相同的元件。此外，为使描述简单，可省略公知步骤和元件的描述和细节。如本文所用，载流元件或载流电极意指器件的载送通过器件的电流的元件，诸如MOS晶体管的源极或漏极或者双极型晶体管的发射极或集电极或者二极管的阴极或阳极，而控制元件或控制电极意指器件的控制通过器件的电流的元件，诸如MOS晶体管的栅极或者双极型晶体管的基极。另外，一个载流元件可载送沿一个方向通过器件的电流，诸如载送进入器件的电流，而第二载流元件可载送沿相反方向通过器件的电流，诸如载送离开器件的电流。尽管器件在本文中可以被描述为某些N沟道或P沟道器件或者某些N型或P型掺杂区，但本领域的普通技术人员将理解，根据本发明的互补器件也是可以的。本领域的普通技术人员理解，导电类型是指通过其发生传导的机制，诸如通过孔或电子传导，因此，导电类型不是指掺杂浓度而是指掺杂类型，诸如P型或N型。本领域的技术人员应当理解，本文所用的与电路操作相关的术语“在……期间”、“在……同时”和“当……时”并不确切地意指称某个动作在引发动作后立即发生，而是指在初始动作所引发的反应之间可能存在一些较小但合理的延迟，诸如各种传播延迟。另外，术语“在……同时”意指某个动作至少在引发动作持续过程中的一段时间内发生。词语“大概”或“基本上”的使用意指元件的值具有预期接近陈述值或位置的参数。然而，如本领域所熟知，始终存在妨碍值或位置确切地为陈述值或位置的微小差异。本领域公认的是，高达至少百分之十(10％)(并且对于包括半导体掺杂浓度的一些元件，高达百分之二十(20％))的偏差是与确切如所述的理想目标相差的合理偏差。在关于信号状态使用时，术语“生效”意指信号的有效状态，而术语“失效”意指信号的无效状态。信号的实际电压值或逻辑状态(诸如“1”或“0”)取决于使用的是正逻辑还是负逻辑。因此，如果使用的是正逻辑，则高电压或高逻辑可生效，如果使用的是负逻辑，则低电压或低逻辑可生效；而如果使用的是正逻辑，则低电压或低状态可失效，如果使用的是负逻辑，则高电压或高逻辑可失效。在本文中，使用正逻辑约定，但本领域的技术人员理解，也可以使用负逻辑约定。权利要求书和/或具体实施方式中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如用在元件名称的一部分中)用于区分在类似元件之间，并且不一定描述时间上、空间上、等级上或任何其他方式的顺序。应当理解，如此使用的术语在适当情况下可互换，并且本文所述的实施方案能够以除本文所述或举例说明外的其他顺序来操作。提到“一个实施方案”，意味着结合该实施方案描述的特定的特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方案中。因此，在本说明书通篇内的不同位置出现的短语“在一个实施方案中”，不一定都指同一个实施方案，但在某些情况下，有可能指同一个实施方案。此外，如本领域的普通技术人员所清楚的，在一个或多个实施方案中，具体特征、结构或特性可以任何合适的方式结合。