[发明专利]一种低电容静电防护芯片器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低电容静电防护芯片器件及其制备方法，所述器件包括N型衬底、P型离子注入区、N型注入区、金属层及二氧化硅层，器件制备步骤包括采用热氧化法制备氧化硅层、干法刻蚀形成沟槽、沟槽内填充二氧化硅、去除两沟槽间的二氧化硅层、注入P型离子形成P型离子注入区、热扩散形成结深、注入N型离子形成N型离子注入区、注入氧离子形成氧离子注入区、热退火形成二氧化硅层等步骤。本发明通过简单控制结深和N型注入区距离可以调整击穿电压，注入和热扩散工艺降低了界面缺陷，工艺简单，降低了制造成本，减少了PN结面积，降低了寄生电容，提升了器件开关速度，更适合在高频环境下应用。