[发明专利]一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法在审
| 申请号： | 202010964380.6 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112053725A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王宏义;徐顺强;吴建飞;郑黎明 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 徐志宏 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种降低单栅极非挥发性存储器。所述存储器包括：多个存储单元；存储单元之间阵列连接；存储单元采用差分接线；存储单元差分接线的一边包括：控制管、遂穿管、读取管以及选择管；控制管的一端连接控制端，另一端分别连接遂穿管和读取管；读取管的另外两端分别连接读取端线和选择管，选择管的另外两端分别连接选择端线和位线；遂穿管的另一端连接隧穿端线。所述方法包括：写入时，控制端接入编程电压，隧穿端线接入擦除电压，读取端接地，通过读取管进行编程，通过遂穿管进行数据擦除；读取时，控制端接地，读取端接入工作电压。采用本方法能够减小存储器的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 栅极 挥发性 存储器 操作 功耗 方法 | ||
【主权项】：
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