[发明专利]一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法在审
| 申请号： | 202010964380.6 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112053725A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王宏义;徐顺强;吴建飞;郑黎明 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 徐志宏 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 栅极 挥发性 存储器 操作 功耗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法，其特征在于，
所述存储器包括：多个存储单元；所述存储单元之间阵列连接；所述存储单元采用差分接线；所述存储单元差分接线的一边包括：控制管、遂穿管、读取管以及选择管；所述控制管的一端连接控制端，另一端分别连接遂穿管和读取管；所述读取管的另外两端分别连接读取端和选择管，所述选择管的另外两端分别连接选择端和位线；所述遂穿管的另一端连接隧穿端；
所述方法包括：
写入时，所述控制端接入编程电压，所述隧穿端线接入擦除电压，所述读取端接地，通过所述读取管进行编程，通过所述遂穿管进行数据擦除；
读取时，所述控制端接地，所述读取端接入工作电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制管、遂穿管、读取管以及选择管均为MOS管。
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