[发明专利]反熔丝元件在审
申请号: | 202010942008.5 | 申请日: | 2020-09-09 |
公开(公告)号: | CN112687658A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 郝中蓬;黄仲麟 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种反熔丝元件,具有一导电区、一介电层、一第一导电栓、一第二导电栓、一第一导电组件以及一第二导电组件;该导电区形成在一半导体基底中,并在一第一方向延伸;该介电层形成在该导电区的一部分上;该第一导电栓形成在该介电层上;该第二导电栓形成在该导电区的其他部分上;该第一导电组件形成在该第一导电栓上;该第二导电组件形成在该第二导电栓上。该介电层具有一第一介电部以及一第二介电部,该第一介电部在一第二方向延伸,该第二介电部在该第一方向延伸,而该介电层实现位在该导电区与该第一导电栓之间的一电性绝缘。该第一导电栓具有一第一区与一第二区,该第一区具有一第一宽度,该第二区具有一第二宽度,而该第一宽度大于该第二宽度。 | ||
搜索关键词: | 反熔丝 元件 | ||
【主权项】:
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