[发明专利]反熔丝元件在审
| 申请号： | 202010942008.5 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN112687658A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 郝中蓬;黄仲麟 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反熔丝 元件 | ||
1.一种反熔丝元件，包括：
一导电区，形成在一半导体基底中，并在一第一方向延伸；
一介电层，形成在该导电区的一部分上，该介电层具有一第一介电部以及一第二介电部，该第一介电部在一第二方向延伸，该第二方向垂直于该第一方向，该第二介电部在该第一方向延伸；
一第一导电栓，形成在该介电层上，该第一导电栓具有一第一区以及一第二区，该第一区具有一第一宽度，该第二区具有一第二宽度，其中该第一宽度大于该第二宽度；
一第二导电栓，形成在该导电区的另一部分上；
一第一导电组件，形成在该第一导电栓上，并在该第二方向延伸；以及
一第二导电组件，形成在该第二导电栓上，并在该第二方向延伸；
其中该介电层实现位在该导电区与该第一导电栓之间的一电性绝缘。
2.如权利要求1所述的反熔丝元件，还包括一阻障层，设置在该介电层与该第一导电栓之间。
3.如权利要求1所述的反熔丝元件，其中该介电层包含氧化硅。
4.如权利要求1所述的反熔丝元件，其中该介电层具有一厚度，大约1到5nm。
5.如权利要求1所述的反熔丝元件，其中该第一导电栓与该第二导电栓包含钨、铜或掺杂多晶硅。
6.如权利要求1所述的反熔丝元件，其中该第一导电组件与该第二导电组件包含钨、铜或铝。
7.如权利要求1所述的反熔丝元件，还包括多个绝缘结构，形成在该半导体基底中，用以在其中界定出该导电区。
8.如权利要求7所述的反熔丝元件，其中所述多个绝缘结构为浅沟隔离结构。
9.如权利要求1所述的反熔丝元件，其中该第一导电组件与该导电区重叠，其间具有一第一重叠区，而该介电层与该导电区之间具有一第二重叠区，该第一重叠区的一面积与该第二重叠区的一面积的比率，大约为1.5：1到2.5：1。
10.如权利要求1所述的反熔丝元件，其中该介电层的该第一介电部具有一表面积，大于位在该半导体基底上的该第一导电栓的该第一区的一面积或该第二区的一面积；而该第一导电栓的该第一区具有一表面积，大于位在该半导体基底上的该第一导电栓的该第二区的该面积。
11.一种反熔丝元件，包括：
一导电区，形成在一半导体基底中，并在一第一方向延伸；
一介电层，形成在该导电区的一部分上，该介电层具有一第一介电部以及一第二介电部，该第一介电部在一第二方向延伸，该第二方向垂直于该第一方向，该第二介电部在该第一方向延伸；
一第一导电栓，形成在该介电层上；
一第二导电栓，形成在该导电区的另一部分上；
一第一导电组件，形成在该第一导电栓上，并在该第二方向延伸；以及
一第二导电组件，形成在该第二导电栓上，并在该第二方向延伸；
其中该介电层实现位在该导电区与该第一导电栓之间的一电性绝缘。
12.如权利要求11所述的反熔丝元件，还包括一阻障层，设置在该介电层与该第一导电栓之间。
13.如权利要求11所述的反熔丝元件，其中该介电层包含氧化硅。
14.如权利要求11所述的反熔丝元件，其中该介电层具有一厚度，大约1到5nm。
15.如权利要求11所述的反熔丝元件，其中该第一导电栓与该第二导电栓包含钨、铜或掺杂多晶硅。
16.如权利要求11所述的反熔丝元件，其中该第一导电组件与该第二导电组件包含钨、铜或铝。
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