[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及压阻排布方法在审
| 申请号： | 202010929675.X | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN114152369A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李婷;尚海平;王玮冰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种MEMS压阻式压力传感器及压阻排布方法，该MEMS压阻式压力传感器包括：感压膜；位于所述感压膜上的两个第一类电阻和两个第二类电阻；第一类电阻和第二类电阻排布在所述感压膜边缘，形成惠斯通电桥；所述第一类电阻所在的第一位置的第一应力与所述第二类电阻所在的第二位置的第二应力之间存在应力差，进而通过第一类电阻与第二类电阻的不对称位置，即相同压力下应力大小具有适当差异的位置，使得引入的电路非线性补偿原有的非线性，以提高该MEMS压阻式压力传感器的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 压力传感器 排布 方法 | ||
【主权项】：
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