[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及压阻排布方法

权利要求书

1.一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括：

感压膜，所述感压膜为方形；

位于所述感压膜上的两个第一类电阻和两个第二类电阻，所述第一类电阻的长边与所在的所述感压膜的第一边垂直，所述第二类电阻的长边与所在的所述感压膜的第二边平行，所述第一边与所述第二边为相同边或不同边；

第一类电阻和第二类电阻排布在所述感压膜边缘，形成惠斯通电桥；

所述第一类电阻所在的第一位置的第一应力与所述第二类电阻所在的第二位置的第二应力之间存在应力差。

2.如权利要求1所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述感压膜从中间位置到边缘位置，应力逐渐增大。

3.如权利要求1所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，若在所述第一类电阻在所述感压膜上的位置的应力与所述第二类电阻在所述感压膜上的位置的应力相等，使得输出-压力曲线为凹曲线时，调整所述第一类电阻所在的第一位置和所述第二类电阻所在的第二位置，以使所述第一应力大于所述第二应力，使得非线性误差降低。

4.如权利要求1所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，若在所述第一类电阻在所述感压膜上的位置的应力与所述第二类电阻在所述感压膜上的位置的应力相等，使得输出-压力曲线为凸曲线时，调整所述第一类电阻所在的第一位置和所述第二两类电阻所在的第二位置，以使所述第一应力小于所述第二应力，使得非线性误差降低。

5.如权利要求1所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述应力差的范围为-0.5P～0.5P，其中P为对所述感压膜施加的压力。

6.一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括：

感压膜，所述感压膜为圆形；

位于所述感压膜上的两个第一类电阻和两个第二类电阻，所述第一类电阻的长边与所在的所述感压膜边的第一切线垂直，所述第二类电阻的长边与所在的所述感压膜边的第二切线平行，所述第一切线与所述第二切线均为所述圆形感压膜上的任意切线，且所述第一切线与所述第二切线为同一切线或不同切线；

第一类电阻和第二类电阻排布在所述感压膜边缘，形成惠斯通电桥；

所述第一类电阻所在的第一位置的第一应力与所述第二类电阻所在的第二位置的第二应力之间存在应力差。

7.如权利要求6所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述应力差的范围为-0.5P～0.5P，其中P为对所述感压膜施加的压力。

8.如权利要求6所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述感压膜从中间位置到边缘位置，应力逐渐增大。

9.一种对MEMS压阻式压力传感器的压敏电阻排布的方法，其特征在于，包括：

在方形的感压膜上设置两个第一类电阻和两个第二类电阻，所述第一类电阻的长边与所在的所述感压膜的第一边垂直，所述第二类电阻的长边与所在的所述感压膜的第二边平行，所述第一边与所述第二边为相同边或不同边；

其中，将第一类电阻和第二类电阻排布在所述感压膜边缘，形成惠斯通电桥；

排布所述第一类电阻在所述感压膜上的第一位置，排布所述第二类电阻在所述感压膜上的第二位置，使得所述第一位置的第一应力与所述第二位置的第二应力之间存在应力差。

10.一种对MEMS压阻式压力传感器的压敏电阻排布的方法，其特征在于，包括：

在圆形的感压膜上设置两个第一类电阻和两个第二类电阻，所述第一类电阻的长边与所在的所述感压膜边的第一切线垂直，所述第二类电阻的长边与所在的所述感压膜边的第二切线平行，所述第一切线与所述第二切线均为所述圆形感压膜上的任意切线，且所述第一切线与所述第二切线为同一切线或不同切线；

其中，将第一类电阻和第二类电阻排布在所述感压膜边缘，形成惠斯通电桥；

排布所述第一类电阻在所述感压膜上的第一位置，排布所述第二类电阻在所述感压膜上的第二位置，使得所述第一位置的第一应力与所述第二位置的第二应力之间存在应力差。