[发明专利]一种MEMS结构在审
| 申请号： | 202010922526.0 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111901736A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李冠华;刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS结构，包括：衬底，具有空腔；第一电极层，悬置于所述空腔内；压电层的第一部分，形成于所述第一电极层上方，并且与所述衬底连接；第二电极层，形成于所述第一部分上方；所述压电层的第二部分，形成于所述第二电极层上方；第三电极层，形成于所述第二部分上方；其中，所述第一电极层和所述第一部分以所述第二电极层为中性面与所述第二部分和所述第三电极层对称。该MEMS结构中，膜片的中间区域的厚度大于膜片的外围区域的厚度，从而有利于释放压电层与衬底连接处的应力，降低了外围区域和中间区域处电荷中和导致的灵敏度降低的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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