[发明专利]一种MEMS结构在审
| 申请号： | 202010922526.0 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111901736A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李冠华;刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 | ||
1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：
衬底，具有空腔；
第一电极层，悬置于所述空腔内；
压电层的第一部分，形成于所述第一电极层上方，并且与所述衬底连接；
第二电极层，形成于所述第一部分上方；
所述压电层的第二部分，形成于所述第二电极层上方；
第三电极层，形成于所述第二部分上方；
其中，所述第一电极层和所述第一部分以所述第二电极层为中性面与所述第二部分和所述第三电极层对称。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层的顶面位于所述衬底的顶面下方，所述第二电极层的底面位于所述衬底的顶面的上方。
3.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层的竖直方向投影区域位于所述空腔内。
4.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第二部分形成于所述第二电极层和所述第一部分上方。
5.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第二部分的外围区域的顶面低于所述第二部分的中间区域的顶面，所述第二部分的外围区域与所述衬底连接，所述第三电极层形成于所述第二部分的中间区域的上方。
6.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层具有相对应的至少两个等分区。
7.根据权利要求6所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层具有相对应的12个等分区。
8.根据权利要求7所述的MEMS结构，其特征在于，
在第一等分区内，所述第二电极层通过第一导线引出作为所述MEMS结构的一个端子；
在所述第一等分区内的所述第一电极层和所述第三电极层连接后与第二等分区内的所述第二电极层相连，所述第一等分区与所述第二等分区相邻，依此重复连接多个相邻等分区；
在第十二等分区内的所述第一电极层和所述第三电极层连接后作为所述MEMS结构的另一个端子。
9.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构还包括隔离层，所述隔离层形成于所述第二电极层的上下表面的位置处，或者所述隔离层形成于所述第一电极层的上表面和所述第三电极层的下表面的位置处。
10.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构包括压电式MEMS麦克风。
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