[发明专利]一种垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010918605.4 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111817135B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 徐化勇;李春勇;舒凯;仇伯仓;柯毛龙;冯欧 | 申请（专利权）人： | 江西铭德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法，包括以下步骤：选取晶圆，在所述晶圆上刻蚀出若干圆台；在每个所述圆台周围刻蚀出沟道，所述沟道的宽深比为0.05‑0.5。本发明在刻蚀时选择0.05‑0.5的宽深比，可以有效的减弱刻蚀机腔体内的气流对刻蚀的影响，提高vcsel沟道刻蚀深度的均匀性，使EPD的信号更理想，实现对刻蚀深度的实时监控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 激光器 芯片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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