[发明专利]一种垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

选取晶圆，在所述晶圆上刻蚀出若干圆台；

在每个所述圆台周围刻蚀出沟道，宽深比为0.05-0.5；

所述沟道为围绕所述圆台的环形结构、矩形结构或方形结构；

对任一不处于所述晶圆中心的所述圆台，所述沟道位于所述晶圆和所述圆台的中心连线上的区域的刻蚀深度为H1，所述沟道位于中心连线的垂线上的区域的刻蚀深度为H2，所述垂线经过所述圆台的中心，H1和H2满足下式：

H1=H2*(1+α)，

其中，α为经验系数，1%≤α≤5%。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述沟道为包绕所述圆台的矩形结构，其短边为40-60μm，长边为80-100μm。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述沟道为围绕所述圆台的环形结构，1%≤α≤2%。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述沟道为围绕所述圆台的矩形结构或方形结构，4%≤α≤5%。

5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述晶圆包括Al元素、Ga元素和As元素。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述沟道面积为所述晶圆面积的10-50%。