[发明专利]一种板式设备制备钝化接触太阳能电池的方法及装置在审
| 申请号: | 202010916495.8 | 申请日: | 2020-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN112071953A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
| 发明(设计)人: | 杜哲仁;陆俊宇;陈嘉;季根华 | 申请(专利权)人: | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;C23C16/56;C23C16/54;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/24;C23C16/02 |
| 代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 吴倩 |
| 地址: | 225500 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供的一种板式设备制备钝化接触结构太阳能电池的方法,包括如下步骤:S1.选取晶体硅基体;S2.在板式一体式连续镀膜设备中,晶体硅基体首先进入ALD工艺腔沉积隧穿氧化层,之后进入PECVD工艺腔连续沉积掺杂非晶硅层;S3.将晶体硅基体退火形成掺杂多晶硅层;S4.在掺杂多晶硅层表面制备氮化硅减反层,并在另一面制备氧化铝钝化层及氮化硅减反层;S5.在晶体硅基体正反两面通过丝网印刷的方式制备金属导电电极。本发明采用板式传输,可在一套设备中连续制备隧穿氧化层及掺杂非晶硅层,减少工序;且ALD及PECVD工艺温度低,可减少硅片弯曲带来的不良;PECVD工艺无绕镀,减少后期清洗步骤,并可实现原位掺杂以减少后续单独的磷掺杂工序。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 板式 设备 制备 钝化 接触 太阳能电池 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏杰太光电技术有限公司,未经江苏杰太光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010916495.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





