[发明专利]一种板式设备制备钝化接触太阳能电池的方法及装置

权利要求书

1.一种板式设备制备钝化接触结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.选取N型晶体硅基体或P型晶体硅基体；

S2.将步骤S1的晶体硅基体放入包括ALD工艺腔及PECVD工艺腔的板式一体式连续镀膜设备，晶体硅基体首先进入ALD工艺腔沉积隧穿氧化层，之后进入PECVD工艺腔连续沉积掺杂非晶硅层；

S3.将步骤S2沉积掺杂非晶硅层的晶体硅基体进行退火，退火后的掺杂非晶硅层晶化形成掺杂多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的一种板式设备制备钝化接触结构的方法，其特征在于，步骤S1中，对晶体硅基体进行预处理并在表面形成制绒面或抛光面。

3.根据权利要求1所述的一种板式设备制备钝化接触结构的方法，其特征在于，步骤S1中，在晶体硅基体表面进行硼扩散或磷扩散并清洗去除杂质。

4.根据权利要求1所述的一种板式设备制备钝化接触结构的方法，其特征在于，步骤S2中，晶体硅基体在ALD工艺腔中加热到工艺温度，并在ALD工艺腔中通入工艺气体，通过原子层沉积方式生成隧穿氧化层，其厚度为0.5~3nm；工艺气体为水蒸气及臭氧的任一种或两种气体的混合气体。

5.根据权利要求1所述的一种板式设备制备钝化接触结构的方法，其特征在于，步骤S2中，晶体硅基体在PECVD工艺腔中加热到工艺温度，并在PECVD工艺腔中通入至少包含硅烷以及一种掺杂源的混合气体，通过等离子激发在隧穿氧化层表面沉积掺杂非晶硅层。

6.根据权利要求1所述的一种板式设备制备钝化接触结构的方法，其特征在于，步骤S2中，晶体硅基体平铺放置在载板上，通过载板在不同腔体间进行水平传输实现板式连续镀膜。

7.根据权利要求1所述的一种板式设备制备钝化接触结构的方法，其特征在于，步骤S3中，退火时，向工艺腔内通入氮气作为保护气体，退火温度860~950℃，退火时间15~60 min。

8.一种板式设备制备钝化接触结构太阳能电池的方法，基于权利要求1-7

权 利 要 求 书

任一项制备的钝化接触结构，其特征在于，还包括如下步骤：

S4.在经过步骤S3形成的掺杂多晶硅层表面制备氮化硅减反层，并在晶体硅基体的另一面制备氧化铝钝化层，并在氧化铝钝化层表面制备氮化硅减反层；

S5.在晶体硅基体正反两面通过丝网印刷的方式制备金属导电电极，从而形成具有钝化接触结构的太阳能电池。

9.根据权利要求8所述的一种板式设备制备钝化接触结构太阳能电池的方法，其特征在于，步骤S5中，在进行丝网印刷之前，在晶体硅基体的正反两面进行开槽处理以预留出金属导电电极印刷位置。

10.一种具有钝化接触结构的太阳能电池，其特征在于，基于权利要求8的一种板式设备制备钝化接触结构太阳能电池的方法制备而成。

11.一种钝化接触结构太阳能电池的板式一体式连续镀膜装置，其特征在于，包括一体式连续真空设置的ALD工艺腔及PECVD工艺腔，晶体硅基体平铺在载板上并依次通过ALD工艺腔及PECVD工艺腔完成镀膜。

12.根据权利要求11所述的一种钝化接触结构太阳能电池的板式一体式连续镀膜装置，其特征在于，所述ALD工艺腔的进料端还设置有加热腔，所述加热腔的进料端设置有自动上料机构；所述PECVD工艺腔的出料端设置有冷却腔，所述冷却腔的出料端设置有自动下料机构。

13.根据权利要求11所述的一种钝化接触结构太阳能电池的板式一体式连续镀膜装置，其特征在于，所述载板呈平板型，所述载板的表面具有开孔以承载晶体硅基体，其材质为石英或碳化硅。