[发明专利]半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法在审
| 申请号： | 202010915165.7 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112837725A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 郑允敬;秋喆焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括存储单元行。所述刷新控制电路对所述存储单元行执行刷新操作。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎，使得所述ECC引擎在读取操作期间通过对至少一个第一存储单元行中的子页面执行ECC解码来生成错误生成信号。所述控制逻辑电路将所述第一存储单元行的错误发生计数与阈值进行比较，并基于所述比较向所述刷新控制电路提供所述第一存储单元行的第一地址作为错误地址。所述刷新控制电路增加在刷新时段期间在所述第一存储单元行中执行的刷新操作的次数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 操作 方法 | ||
【主权项】：
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