[发明专利]一种具有空腔结构的克尔效应衬底在审
| 申请号： | 202010897014.3 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111983826A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及克尔效应应用领域，具体提供了一种具有空腔结构的克尔效应衬底，包括基底、磁性材料层、孔洞，覆盖部，磁性材料层置于基底上，孔洞设置在磁性材料层的表面，孔洞为一维线栅形，孔洞按照一维周期排列，覆盖部设置在孔洞内，覆盖部的两端埋入磁性材料层，相邻覆盖部不连接。这样一来，由覆盖部、孔洞侧壁形成空腔结构，入射光被限制在空腔内，在空腔内形成强电场，增强了入射光与磁性材料层的作用，增强了克尔效应的强度，在克尔效应应用领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 空腔 结构 克尔 效应 衬底 | ||
【主权项】：
暂无信息
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