[发明专利]一种具有空腔结构的克尔效应衬底在审
| 申请号: | 202010897014.3 | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN111983826A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 空腔 结构 克尔 效应 衬底 | ||
本发明涉及克尔效应应用领域,具体提供了一种具有空腔结构的克尔效应衬底,包括基底、磁性材料层、孔洞,覆盖部,磁性材料层置于基底上,孔洞设置在磁性材料层的表面,孔洞为一维线栅形,孔洞按照一维周期排列,覆盖部设置在孔洞内,覆盖部的两端埋入磁性材料层,相邻覆盖部不连接。这样一来,由覆盖部、孔洞侧壁形成空腔结构,入射光被限制在空腔内,在空腔内形成强电场,增强了入射光与磁性材料层的作用,增强了克尔效应的强度,在克尔效应应用领域具有良好的应用前景。
技术领域
本发明涉及克尔效应应用领域,具体涉及一种具有空腔结构的克尔效应衬底。
背景技术
克尔效应是指线偏振光入射到磁性材料上,反射光的偏振面发生旋转的现象。克尔效应在磁光存储、三维成像、生物检测等领域具有巨大的应用潜力。一般地,当磁性材料直接与入射光相互作用时,磁性材料的克尔效应弱,不利于克尔效应的应用。
发明内容
为解决以上问题,本发明提供了一种具有空腔结构的克尔效应衬底,包括基底、磁性材料层、孔洞,覆盖部,磁性材料层置于基底上,孔洞设置在磁性材料层的表面,孔洞为一维线栅形,孔洞按照一维周期排列,覆盖部设置在孔洞内,覆盖部的两端埋入磁性材料层,相邻覆盖部不连接。
更进一步地,覆盖部的材料为二氧化硅或石墨烯。
更进一步地,覆盖部的材料为贵金属。
更进一步地,贵金属为金。
更进一步地,覆盖部的厚度小于20纳米。
更进一步地,相邻覆盖部之间的距离小于40纳米。
更进一步地,孔洞不贯穿磁性材料层。
更进一步地,在孔洞的底部还设有贵金属颗粒。
更进一步地,基底为非磁性材料。
更进一步地,磁性材料层的材料为钴、铋铁石榴石。
本发明的有益效果:本发明提供了一种具有空腔结构的克尔效应衬底,包括基底、磁性材料层、孔洞,覆盖部,磁性材料层置于基底上,孔洞设置在磁性材料层的表面,孔洞为一维线栅形,孔洞按照一维周期排列,覆盖部设置在孔洞内,覆盖部的两端埋入磁性材料层,相邻覆盖部不连接。这样一来,由覆盖部、孔洞侧壁形成空腔结构,入射光被限制在空腔内,在空腔内形成强电场,增强了入射光与磁性材料层的作用,增强了克尔效应的强度,在克尔效应应用领域具有良好的应用前景。
以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。
附图说明
图1是一种具有空腔结构的克尔效应衬底的示意图。
图2是又一种具有空腔结构的克尔效应衬底的示意图。
图3是再一种具有空腔结构的克尔效应衬底的示意图。
图中:1、基底;2、磁性材料层;3、孔洞;4、覆盖部;5、贵金属颗粒。
具体实施方式
为进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及实施例对本发明的具体实施方式、结构特征及其功效,详细说明如下。
实施例1
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山科立特光电科技有限公司,未经中山科立特光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010897014.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





