[发明专利]TFT-LCD制程用铜钼合层蚀刻液有效
| 申请号： | 202010884685.6 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112030165B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 郭文勇;邹玲;詹洪;张诗杨;罗晓锋;陆飚 | 申请（专利权）人： | 武汉迪赛新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 | 代理人： | 余晓雪 |
| 地址： | 436070 湖北省鄂州*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于金属材料的化学法蚀刻技术领域，具体公开了TFT‑LCD制程用铜钼合层的蚀刻液。该蚀刻液由以下重量百分含量的原料组成：5%~25%的过氧化氢、2%~4%的螯合剂、1%~2%调节剂、0.05%~0.5%稳定剂、0.05%~0.5%缓蚀剂A、0.05%~0.5%缓蚀剂B、0.5%~1%多功能添加剂和余量的超纯水。本发明的TFT‑LCD制程用铜钼合层用蚀刻液蚀刻特性好，蚀刻液中铜离子含量从1000~7000ppm均能保持蚀刻角度在35~50°，CDloss在0.80±0.20um，蚀刻斜面直线度好，无钼残，无底切。可代替进口产品，具有非常大的工业价值。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 制程用铜钼合层 蚀刻 | ||
【主权项】：
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