[发明专利]TFT-LCD制程用铜钼合层蚀刻液

权利要求书

1.一种用于TFT-LCD制程用铜钼合层蚀刻液，其特征在于，其由以下重量百分含量的原料组成：5%~25%的过氧化氢、2%~4%的螯合剂、1%~2%调节剂、0.05%~0.5%稳定剂、0.05%~0.5%缓蚀剂A、0.05%~0.5%缓蚀剂B、0.5%~1%多功能添加剂和余量的超纯水；

所述螯合剂为含有N原子的有机膦酸，选自氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、己二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、二己烯三胺五甲叉膦酸和多氨基多醚基甲叉膦酸中的至少一种；

所述调节剂为膦酰基丁烷三羧酸；

所述稳定剂为苯基脲、硫脲和/或苯乙酰胺；

所述缓蚀剂A为三乙醇胺硼酸酯；

所述缓蚀剂B为含氮的杂环化合物，选自咪唑、吡啶、蝶啶、氨苯蝶啶和5-氨基四氮唑中的至少一种；

所述多功能添加剂为亚氨基二琥珀酸四钠。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，其由以下重量百分含量的原料组成：10%~20%的过氧化氢、2%~4%的螯合剂、1%~2%调节剂、0.05%~0.5%稳定剂、0.05%~0.5%缓蚀剂A、0.05%~0.5%缓蚀剂B、0.5%~1%多功能添加剂和余量的超纯水。

3.根据权利要求1-2任一所述的蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂为二乙烯三胺五甲叉膦酸和/或二己烯三胺五甲叉膦酸。

4.根据权利要求1-2任一所述的蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂B为氨苯蝶啶和/或5-氨基四氮唑。

5.根据权利要求1-2任一所述的蚀刻液，其特征在于，所述过氧化氢的浓度为30~35wt%。

6.应用权利要求1-5任一所述的蚀刻液，其特征在于，将含铜钼合层的TFT基板浸渍在蚀刻液中，蚀刻液稳定保持在30~35℃，蚀刻时间为80~160秒。