[发明专利]制备氧化物弥散强化MoNbTaVW难熔高熵合金方法有效
申请号: | 202010881165.X | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN111926231B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 刘烨;杨思敏;陈旭;章林;陈晓玮;秦明礼;曲选辉 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学;北京科技大学 |
主分类号: | C22C30/00 | 分类号: | C22C30/00;C22C32/00;C22C1/05;C22C1/10 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 4111*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于先进金属材料制备研究领域,特别提供了一种激光熔覆成形制备氧化物弥散强化MoNbTaVW难熔高熵合金的方法。步骤如下:前驱体粉末配置:将旋转电极雾化MoNbTaVW难熔高熵合金粉加入到前驱体溶液中浸渍,再选取纳米氧化物粉末加入溶液中搅拌然后烘干,在气氛保护和一定温度条件下,将前驱体粉末放入高速搅拌加热炉中搅拌,纳米氧化物渗入合金粉末颗粒表层,得到纳米氧化物包覆的高熵合金粉末。将纳米氧化物包覆的高熵合金粉末进行激光熔覆成形,得到具有超细氧化物弥散相的MoNbTaVW难熔高熵合金。本发明为制备ODS强化MoNbTaVW难熔高熵合金提供了新的思路,具有生产周期短、成本低、操作方便等优点。 | ||
搜索关键词: | 制备 氧化物 弥散 强化 monbtavw 难熔高熵 合金 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学;北京科技大学,未经湘潭大学;北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010881165.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种隧道超前小导管快速注浆施工方法
- 下一篇:一种自动排气阀