[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010877118.8 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113451389A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 佐藤慎吾;藤农佑树;山下浩明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具备第1电极、第1导电型的第1半导体区域、接合区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、第1导电型的第6半导体区域、栅极电极及第2电极。接合区域包含第1导电型的第2半导体区域及第2导电型的第3半导体区域。在与第1方向垂直的第2方向上，交替地设置有多个第2半导体区域和多个第3半导体区域。接合区域中的选自由重金属元素及质子构成的组中的至少一种第1元素的浓度比第1半导体区域中的第1元素的浓度高，且比第4半导体区域中的第1元素的浓度高。或者，接合区域中的晶体缺陷的密度比第1半导体区域中的晶体缺陷的密度高，且比第4半导体区域中的晶体缺陷的密度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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