[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010872455.8 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111785642B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;余长敏;李秀然 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，主要包括在半导体衬底上的深沟槽中形成氧化层和源多晶硅层；形成一护层，所述护层覆盖源多晶硅层和氧化层；刻蚀所述护层和所述氧化层以形成栅沟槽；在所述栅沟槽中形成栅氧化层和隔离介质层；在所述栅沟槽中形成栅多晶硅层；去除所述护层和所述氧化层。由于在源多晶硅层形成之后增加了护层，便减小了所述源多晶硅层的顶部和所述氧化层的顶部之间的高度差，进而在后续对栅多晶硅层进行回刻时避免了栅多晶硅层与源多晶硅层的过渡区出现栅多晶硅刻蚀不干净的问题，从而解决了栅极与屏蔽栅短接引起的饱和栅极电流失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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