[发明专利]IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法

摘要

本发明提供一种IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，包括：建立目标函数f；确定所述目标函数的约束条件；基于约束条件，求解目标函数的最小值，其中，ΔVCmax为钳位电容CCL上的相对过电压ΔvC(t)的最大值，相对过电压ΔvC(t)为钳位电容CCL瞬时端电压与直流电压的差值；iT(t)为Lload的电流，Lload为IGCT的负荷电感；CCCL是钳位电容CCL的电容值；D为二阶振荡电路参数；LLi为阳极电抗Li的电抗值。本发明可实现对吸收钳位电路参数的优化设计，减小了阳极电抗的感值和钳位电容的容值，降低钳位电路的损耗；优化钳位电路的过渡过程时间，提高钳位电路的动态响应特性。