[发明专利]IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法

权利要求书

1.IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，其中，所述IGCT吸收钳位电路包含阳极电抗L_i、钳位二极管D_CL、钳位电阻R_S、钳位电容C_CL，其特征在于，所述多目标优化设计方法包括：

建立目标函数f；

确定所述目标函数f的约束条件；

基于所述约束条件，求解所述目标函数f的最小值，

其中，

ΔV_Cmax为所述钳位电容C_CL上的相对过电压Δv_C(t)的最大值，所述相对过电压Δv_C(t)为所述钳位电容C_CL瞬时端电压与直流电压的差值；

i_T(t)为L_load的电流，L_load为IGCT的负荷电感；

C_CCL是所述钳位电容C_CL的电容值；

D为二阶振荡电路参数；

L_Li为所述阳极电抗L_i的电抗值或电感值。

2.根据权利要求1所述的IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，其特征在于，

所述约束条件中的钳位电路欠阻尼振荡约束为：

其中，R_RS为所述钳位电阻R_S的电阻值。

3.根据权利要求2所述的IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，其特征在于，

所述约束条件中的过渡过程时间约束为：

其中，

T_s为IGCT关断过程过渡时间；

t_offmin为IGCT最小关断时间；

t_max为所允许的最长过渡过程时间。

4.根据权利要求1-3所述的IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，其特征在于，

所述约束条件中的阳极电抗感值约束为：

其中，

V_Dmax为所述钳位电容C_CL的电压最大值；

为关断di/dt耐量的最大值。

5.根据权利要求4所述的IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，其特征在于，

所述约束条件中的缓冲电容容值约束为：

6.根据权利要求5所述的IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，其特征在于，

所述约束条件中的缓冲电阻阻值约束为：

7.根据权利要求6所述的IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，其特征在于，

利用函数fmincon求解所述目标函数f的最小值，以优化箝位电路参数。

8.根据权利要求7所述的IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，其特征在于，

求解所述目标函数f的最小值时，D、T_s、R_RS、C_CCL和L_Li为优化变量。

9.根据权利要求8所述的IGCT吸收钳位电路参数的多目标优化设计方法，其特征在于，

进行所述优化箝位电路参数时，当求得ΔV_Cmax的最小值时即可求得D、T_s、R_RS、C_CCL和L_Li对应的优化值。