[发明专利]一种InGaN/(In)GaN量子阱结构及提高量子阱发光均匀性的方法在审
| 申请号： | 202010863919.9 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111785817A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 赵德刚;梁锋;王泓江 | 申请（专利权）人： | 北京蓝海创芯智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人： | 张明明 |
| 地址： | 100089 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种InGaN量子阱结构及提高InGaN量子阱发光均匀性的方法，属于氮化镓半导体器件制造与外延生长领域。本发明在n型GaN层上生长InGaN量子阱，然后通入氢气处理阱层的生长，具体的处理过程为：生长GaN盖层后，关闭镓源与铟源、打开氨气，通入氢气，去除富集于阱层表面的铟，接着关闭氢气，并保持时间t进行赶氢，最后打开镓源生长GaN垒层。本发明采用氢气处理阱层替代传统升温退火处理阱层，可显著提高InGaN量子阱发光均匀性，简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan in gan 量子 结构 提高 发光 均匀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京蓝海创芯智能科技有限公司，未经北京蓝海创芯智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010863919.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：Hoffa解剖钢板
- 下一篇：一种具有保护功能的自动配重健身器材
