[发明专利]一种InGaN/(In)GaN量子阱结构及提高量子阱发光均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高量子阱发光均匀性的方法，其特征在于，在n型GaN层上生长InGaN量子阱，通入氢气处理阱层的生长：生长GaN盖层后，关闭镓源与铟源、打开氨气，通入氢气，去除富集于阱层表面的铟，接着关闭氢气，并保持时间t进行赶氢，最后打开镓源生长GaN垒层；所述时间t的范围是0-1000s。

2.根据权利要求1所述的提高量子阱发光均匀性的方法，其特征在于，所述通入氢气的流量为0-1000ml/min。

3.根据权利要求1所述的提高量子阱发光均匀性的方法，其特征在于，所述赶氢时间为0-1000s。

4.根据权利要求1所述的提高量子阱发光均匀性的方法，其特征在于，所述通入氢气时，反应室温度为500-1200℃。

5.根据权利要求1-4任一项所述的提高量子阱发光均匀性的方法，其特征在于，所述生长InGaN量子阱包括生长单量子阱和生长多量子阱。

6.根据权利要求5所述的提高量子阱发光均匀性的方法，其特征在于，生长多量子阱时，每次通入氢气的时间、氢气流量、赶氢时间及反应室温度均可不同。

7.根据权利要求1所述的提高量子阱发光均匀性的方法，其特征在于，所述镓源为TMGa或TEGa，铟源为TMIn。

8.一种InGaN/(In)GaN量子阱结构，其特征在于，包括如权利要求1-7任一所述方法制备的量子阱。

9.一种InGaN/(In)GaN量子阱LED的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤(1)，在衬底上生长GaN成核层；

步骤(2)，在GaN成核层上生长GaN模板层；

步骤(3)，在GaN模板层上生长n型GaN层；

步骤(4)，在n型GaN层上生长InGaN量子阱，所述生长InGaN量子阱，采用如权利要求1-7任一所述方法制备的量子阱；

步骤(5)，在InGaN量子阱上生长p型GaN层。

10.根据权利要求9所述的InGaN/(In)GaN量子阱LED的制备方法，其特征在于，所述衬底为氮化镓衬底或硅衬底或蓝宝石衬底。