[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010857388.2 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112447595A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李韦儒;郑存甫;吴忠纬;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供半导体装置的制造方法。方法包括形成鳍状结构，其具有多个第一半导体层与多个第二半导体层交错堆叠；形成牺牲栅极结构于鳍状结构上；蚀刻牺牲栅极结构不覆盖的鳍状结构的源极/漏极区，以形成源极/漏极沟槽；经由源极/漏极沟槽横向蚀刻第一半导体层；形成内侧间隔物层于源极/漏极沟槽中的蚀刻后的第一半导体层的至少横向末端上；形成晶种层于内侧间隔物层上；以及成长源极/漏极外延层于源极/漏极沟槽中，其中源极/漏极外延层的成长步骤包括自晶种层成长源极/漏极外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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