[发明专利]互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010857079.5 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112447669A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡荣洲;张丰愿;黄博祥;刘钦洲;郑仪侃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法。一种互连结构包含多个第一垫、多个第二垫、第一层中的多个第一导线、第二层中的多个第二导线及第n层中的多个第n导线。所述第一垫及所述第二垫分别分组成第一群组、第二群组及第n群组。第一群组中的所述第一垫中的每一者由所述第一导线中的一者连接到所述第一群组中的所述第二垫中的一者。所述第二群组中的所述第一垫中的每一者由所述第二导线中的一者连接到所述第二群组中的所述第二垫中的一者。所述第n群组中的所述第一垫中的每一者由所述第n导线中的一者连接到所述第n群组中的所述第二垫中的一者。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 包含 半导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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