[发明专利]互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法

说明书

本发明实施例涉及互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法。一种互连结构包含多个第一垫、多个第二垫、第一层中的多个第一导线、第二层中的多个第二导线及第n层中的多个第n导线。所述第一垫及所述第二垫分别分组成第一群组、第二群组及第n群组。第一群组中的所述第一垫中的每一者由所述第一导线中的一者连接到所述第一群组中的所述第二垫中的一者。所述第二群组中的所述第一垫中的每一者由所述第二导线中的一者连接到所述第二群组中的所述第二垫中的一者。所述第n群组中的所述第一垫中的每一者由所述第n导线中的一者连接到所述第n群组中的所述第二垫中的一者。

技术领域

本发明实施例涉及互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法。

背景技术

归因于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的集成密度不断提高，半导体工业已经历快速增长。集成密度的此提高允许更多组件集成到给定面积中。随着近年来小型化、更高速度及更大带宽及更低功耗及延时的需求增长，半导体裸片的更小及更具创造性封装技术的需求日益增加。

随着半导体技术进一步发展，堆叠半导体装置(例如3D集成电路(3DIC))已成为进一步减小半导体装置的实体大小的有效替代。在堆叠半导体装置中，有源电路(例如逻辑、存储器、处理器电路及其类似者)经制造于不同半导体晶片上。两个或更多个半导体晶片或裸片可经彼此上下安装以进一步减小半导体装置的外型尺寸。因此，需要互连结构来提供半导体晶片或裸片之间的电连接。

发明内容

根据本发明的实施例，一种互连结构包括：多个第一垫，其中所述第一垫沿一方向布置以形成行，且所述第一垫分组成第一群组、第二群组及第n群组，且n是等于或大于2的整数；多个第二垫，其中所述第二垫沿所述方向布置以形成平行于由所述第一垫形成的所述行的行，且所述第二垫分组成第一群组、第二群组及第n群组；及安置于第一层中的多个第一导线、安置于第二层中的多个第二导线及安置于第n层中的多个第n导线，其中所述第一层、所述第二层及所述第n层经堆叠以形成多层结构，其中所述第一垫及所述第二垫安置于所述第一层、所述第二层及所述第n层上方，所述第一群组中的所述第一垫中的每一者由所述第一层中的所述第一导线中的一者电连接到所述第一群组中的所述第二垫中的一者，所述第二群组中的所述第一垫中的每一者由所述第二层中的所述第二导线中的一者电连接到所述第二群组中的所述第二垫中的一者，且所述第n群组中的所述第一垫中的每一者由所述第n层中的所述第n导线中的一者电连接到所述第n群组中的所述第二垫中的一者。

根据本发明的实施例，一种互连结构包括：多个第一垫，其经布置以形成第一阵列，其中所述第一阵列具有沿第一方向延伸且沿第二方向彼此平行的第一行、第二行及第m行，其中所述第一行、所述第二行及所述第m行中的每一者中的所述第一垫分组成沿所述第二方向延伸的第一群组、第二群组及第n群组，m是等于或大于2的整数，且n是等于或大于2的整数；多个第二垫，其经布置以形成第二阵列，其中所述第二阵列具有沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向彼此平行的第一行、第二行及第m行，其中所述第一行、所述第二行及所述第m行中的每一者中的所述第二垫分组成沿所述第二方向延伸的第一群组、第二群组及第n群组；及安置于第一层中的多个第一导线、安置于第二层中的多个第二导线及安置于第n层中的多个第n导线，其中所述第一层、所述第二层及所述第n层经堆叠以形成多层结构，其中所述第一垫及所述第二垫安置于所述第一层、所述第二层及所述第n层上方，所述第一阵列的所述第一群组中的所述第一行中的所述第一垫中的每一者由所述第一层中的所述第一导线中的一者电连接到所述第二阵列的所述第一群组中的所述第一行中的所述第二垫中的一者，所述第一阵列的所述第一群组中的所述第二行中的所述第一垫中的每一者由所述第一层中的所述第一导线中的一者电连接到所述第二阵列的所述第一群组中的所述第二行中的所述第二垫中的一者，且所述第一阵列的所述第一群组中的所述第m行中的所述第一垫中的每一者由所述第一层中的所述第一导线中的一者电连接到所述第二阵列的所述第一群组中的所述第m行中的所述第二垫中的一者。