[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010856148.0 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112441551A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 邱怡瑄;洪嘉明;彭利群;陈相甫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括设置在半导体衬底之上的内连线结构。介电结构设置在内连线结构之上。多个空腔设置在介电结构中。微机电系统(MEMS)衬底设置在介电结构之上，其中微机电系统衬底包括多个可移动薄膜，且其中所述多个可移动薄膜分别上覆在所述多个空腔之上。多个流体连通通道设置在所述介电结构中，其中所述多个流体连通通道中的每一者在所述多个空腔中的两个相邻空腔之间在侧向上延伸，使得所述多个空腔中的每一者彼此流体连通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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