[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

内连线结构，设置在半导体衬底之上；

介电结构，设置在所述内连线结构之上；

多个空腔，设置在所述介电结构中且被排列成包括行及列的阵列；

微机电系统衬底，设置在所述介电结构之上，其中所述微机电系统衬底界定所述多个空腔的上表面，其中所述微机电系统衬底包括多个可移动薄膜，且其中所述多个可移动薄膜分别上覆在所述多个空腔之上；以及

多个流体连通通道，设置在所述介电结构中，其中所述多个流体连通通道的上表面由所述微机电系统衬底界定，且其中所述多个流体连通通道中的每一者在所述多个空腔中的两个相邻空腔之间在侧向上延伸，使得所述多个空腔中的每一者彼此流体连通。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个空腔中的每一者具有实质上相同的空腔压力。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个空腔中的每一者具有圆形形状的俯视轮廓。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个流体连通通道中的第一流体连通通道的相对侧壁由所述介电结构的相对侧壁界定。

5.一种半导体器件，包括：

内连线结构，设置在半导体衬底之上；

介电结构，设置在所述内连线结构之上；

微机电系统衬底，设置在所述介电结构之上；

第一微机电系统器件，设置在所述半导体衬底之上，其中所述第一微机电系统器件包括设置在所述介电结构中的第一空腔，且包括上覆在所述第一空腔之上的所述微机电系统衬底的第一可移动薄膜；

第二微机电系统器件，设置在所述半导体衬底之上，其中所述第二微机电系统器件包括设置在所述介电结构中的第二空腔，且包括上覆在所述第二空腔之上的所述微机电系统衬底的第二可移动薄膜，且其中所述第二微机电系统器件在第一方向上与所述第一微机电系统器件在侧向上间隔开；以及

第一流体连通通道，设置在所述介电结构中，其中所述第一流体连通通道在所述第一方向上从所述第一空腔在侧向上延伸到所述第二空腔，使得所述第一空腔与所述第二空腔流体连通。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第一空腔具有在所述第一方向上测量的第一长度；

所述第一空腔具有在垂直于所述第一方向的第二方向上测量的第一宽度；

所述第一流体连通通道具有在所述第二方向上测量的第二宽度；并且

所述第二宽度小于所述第一宽度及所述第一长度二者。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述微机电系统衬底界定所述第一空腔的第一上表面、所述第二空腔的第二上表面及所述第一流体连通通道的第三上表面。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第一空腔具有第一中心点，且所述第二空腔具有第二中心点；并且

所述第一中心点、所述第二中心点及所述第一流体连通通道沿第一平面对准，所述第一平面在所述第一方向上以实质上直的线延伸。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第一流体连通通道具有第一侧壁及与所述第一侧壁相对的第二侧壁；

所述第二侧壁在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧壁间隔开；

所述第一侧壁沿第一实质上垂直的平面以垂直的方式延伸；

所述第二侧壁沿第二实质上垂直的平面以垂直的方式延伸；

所述第一实质上垂直的平面与所述第二实质上垂直的平面平行地以垂直的方式延伸；并且

所述第一流体连通通道具有实质上平坦的底表面。

10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

接收集成电路结构，所述集成电路结构包括设置在所述集成电路结构的半导体衬底之上的第一电极及第二电极，其中所述第一电极与所述第二电极在侧向上间隔开；

在所述集成电路结构、所述第一电极及所述第二电极之上形成介电结构；

在所述介电结构中形成第一空腔开口，且所述第一空腔开口上覆在所述第一电极之上；

在所述介电结构中形成第二空腔开口，且所述第二空腔开口上覆在所述第二电极之上，其中所述介电结构的部分设置在所述第一空腔开口与所述第二空腔开口之间；

在所述介电结构的所述部分中形成流体连通通道开口，其中所述流体连通通道开口从所述第一空腔开口在侧向上延伸到所述第二空腔开口；以及

将微机电系统衬底结合到所述介电结构，其中将所述微机电系统衬底结合到所述介电结构覆盖所述第一空腔开口、所述第二空腔开口及所述流体连通通道开口，从而分别形成第一空腔、第二空腔及流体连通通道，且其中所述流体连通通道从所述第一空腔在侧向上延伸到所述第二空腔。