[发明专利]基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202010849609.1 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111952184A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘强;俞文杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法，包括：1)制备衬底结构，包括半导体衬底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层中插入有介质牺牲层；2)在器件区域外围形成隔离区；3)刻蚀半导体层及介质牺牲层，以在介质牺牲层上下方分别形成第一、第二线型半导体沟道；4)采用湿法腐蚀去除介质牺牲层及部分绝缘层以形成空腔；5)制备栅介质层及栅电极层；6)在第一、第二线型半导体沟道两端的半导体层中形成源区及漏区。本发明可避免介质牺牲层的侧向腐蚀，本发明具有较高的电学性能、较小的工艺难度及广泛的工艺兼容性。本发可通过一次湿法腐蚀形成上下堆叠的线型半导体沟道，大大节省工艺，并有效提高器件的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 图形 化埋层 介质 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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