[发明专利]一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法，制备步骤如下：用移液枪移取0.5mL纳米Ag溶胶于烧瓶中，加入5mL甲苯、30mL无水乙醇、2mL油酸、5mL油胺混合均匀，得混合溶液一：在混合溶液一种加入15‑30mL碲前驱体，室温下搅拌30min；步骤二反应完全后，加入50mL无水乙醇离心洗涤三次，将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中，得Ag2Te溶胶；在步骤三Ag2Te溶胶，加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液，混合均匀，得混合溶液二；将混合溶液二在室温下搅拌30min；在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷，混合均匀后，50℃下搅拌2h；将溶液转移至反应釜中，放置烘箱内，200℃反应2h；取出反应釜，自然冷却至室温，加入100mL无水乙醇离心洗涤三次，将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中，得ZnTe溶胶。