[发明专利]一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法

说明书

本发明涉及一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法，制备步骤如下：用移液枪移取0.5mL纳米Ag溶胶于烧瓶中，加入5mL甲苯、30mL无水乙醇、2mL油酸、5mL油胺混合均匀，得混合溶液一：在混合溶液一种加入15‑30mL碲前驱体，室温下搅拌30min；步骤二反应完全后，加入50mL无水乙醇离心洗涤三次，将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中，得Ag₂Te溶胶；在步骤三Ag₂Te溶胶，加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl₂溶液，混合均匀，得混合溶液二；将混合溶液二在室温下搅拌30min；在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷，混合均匀后，50℃下搅拌2h；将溶液转移至反应釜中，放置烘箱内，200℃反应2h；取出反应釜，自然冷却至室温，加入100mL无水乙醇离心洗涤三次，将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中，得ZnTe溶胶。

原案申请号：2018110771742

原案申请日：2018年9月15日

原案申请人：东莞理工学院。

技术领域

本发明属于半导体纳米材料及其制备的技术领域，具体涉及一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法。

背景技术

当前，全球正面临着能源短缺、环境恶化和气候变暖等问题的严峻挑战，寻找开发和利用清洁的可再生能源是解决上述问题的有效手段。

碲化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物，化学式为ZnTe，由于碲化锌具有宽禁带的特性，常用于制作半导体材料，碲化锌(ZnTe)是一种具有闪锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料，碲化锌是一种p型宽禁带半导体，室温下禁带宽度为2.26eV，77K下禁带宽度为2.38eV，ZnTe可以通过掺杂改变其带隙宽度，因此在薄膜太阳能电池、半导体发光器件等领域应用的潜力具大，另一方面，ZnTe也是理想的绿光发光材料，可用于研制高亮度、大功率的绿光LED，尤其值得关注的是，ZnTe晶体具有面心立方闪锌矿结构，属于非中心对称结构，是一种具有良好相位匹配特性和较好光电性质的晶体，其二阶非线性系数(X(2)＝1.6×10-7esu)和电光系数(r41＝4.04pm/V)均较大，并且〈110〉方向的ZnTe晶体在800nm附近激光脉冲作用下相位匹配最好，产生和探测THz辐射的效率较高，基于ZnTe晶体探测灵敏度高、探测带宽宽、稳定性强等特点，目前其已成为最常用的产生和探测THz辐射的电光材料，应用于THz器件和电光传感器，作为实际应用的前提，大尺寸高质量的体单晶的制备非常关键，研究应用潜力巨大。

发明内容

一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法，制备步骤如下：

步骤一、用移液枪移取0.5mL纳米Ag溶胶于烧瓶中，加入5mL甲苯、30mL无水乙醇、2mL油酸、5mL油胺混合均匀，得混合溶液一；

步骤二：在混合溶液一种加入15-30mL碲前驱体，室温下搅拌30min；

步骤三：步骤二反应完全后，加入50mL无水乙醇离心洗涤三次，将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中，得Ag₂Te溶胶；

步骤四：在步骤三Ag₂Te溶胶，加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl₂溶液，混合均匀，得混合溶液二；

步骤五：将混合溶液二在室温下搅拌30min；

步骤六：在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷，混合均匀后，50℃下搅拌2h；

步骤七：将搅拌后的溶液转移至反应釜中，放置烘箱内，200℃反应2h；

步骤八：取出反应釜，自然冷却至室温，加入100mL无水乙醇离心洗涤三次，将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中，得ZnTe溶胶。