[发明专利]功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法在审
| 申请号： | 202010841996.4 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420629A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 林维安;P·A·A·卡洛;谢丁顺;张翠薇;S·K·穆鲁甘;沈盈博;陈志文 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/373;H01L23/42;H01L21/50;H01L23/495 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体封装体包括：功率半导体芯片；电连接器，其布置在所述功率半导体芯片的第一侧处并包括耦合到所述功率半导体芯片的功率电极的第一表面；包封体，其至少部分地包封所述功率半导体芯片和所述电连接器，以及电绝缘层，其布置在所述电连接器的与所述第一表面相反的第二表面处，其中，所述包封体的部分和所述电绝缘层的部分形成所述功率半导体封装体的共面表面。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 封装 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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