[发明专利]功率放大器散热结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010835902.2 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN111968951A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 刘云婷;苏梅英;李君;曹立强 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/427;H01L21/48
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 张东梅
地址: 214028 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种功率放大器散热结构及其制备方法,包括:在载板上形成重新布线层和介质层;在所述重新布线层上形成导电柱和导电层;将均热板附连至芯片上;将所述芯片附连至所述导电层;依次形成塑封层与散热层,所述散热层附连至所述导电柱和所述均热板。
搜索关键词: 功率放大器 散热 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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