[发明专利]功率放大器散热结构及其制备方法

权利要求书

1.一种功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，包括：

在载板上形成重新布线层和介质层；

在所述重新布线层上形成导电柱和导电层；

将均热板附连至芯片上；

将所述芯片附连至所述导电层；

依次形成塑封层与散热层，所述散热层附连至所述导电柱和所述均热板。

2.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，均热板由以下步骤进行制备：

在两个盖板上分别加工凹槽，两个所述凹槽的侧边具有位置相对应的进液口，两个所述凹槽的底面具有位置相对应的支撑结构；

在两个所述凹槽中的至少一个的底面形成多孔介质层；

将两个盖板扣合后，形成所述均热板的外框架及腔体；

在所述腔体内注入冷却工质；

将所述腔体进行抽真空后密封。

3.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，在载板上形成重新布线层和介质层包括：

在载板上形成第一层介质层，所述第一层介质层通过旋涂工艺、喷涂工艺或压合工艺形成；

在第一层介质层上进行光刻形成焊盘开口，形成电镀种子层，在电镀种子层上形成光刻胶掩膜，电镀，形成第一层重新布线层；

重复上述步骤完成多层介质层及多层重新布线层的制备。

4.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，在所述重新布线层上形成导电柱和导电层包括：

在最后一层介质层上形成电镀种子层，在电镀种子层上形成光刻胶掩膜，形成导电柱下金属层，通过电镀形成导电柱，所述导电柱为所述芯片提供接地通路；

在最后一层介质层上电镀种子层，在电镀种子层上形成光刻胶掩膜，进行光刻，形成焊盘开口后电镀，形成所述导电层。

5.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，将所述均热板附连至所述芯片上包括：

采用第一焊料将所述均热板的下表面与所述芯片上方金属层通过回流焊工艺或钎焊工艺进行焊接；

将所述芯片附连至所述导电层包括：

采用第二焊料将芯片下方凸点与所述导电层的凸点通过电镀工艺、植球工艺或回流焊工艺进行附连；

所述第一焊料为铅锡银合金或锡银铜合金；

所述第二焊料的熔点小于所述第一焊料的熔点。

6.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，形成塑封层包括：

使用模具进行模压工艺或固化工艺形成塑封层；

所述塑封层覆盖所述重新布线层、所述介质层、所述导电柱、所述导电层、所述芯片和所述均热板；

去除部分所述塑封层以暴露出所述导电柱和所述均热板；

通过等离子体刻蚀工艺去除所述导电柱及所述均热板上的塑封层材料。

7.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，形成所述散热层包括：

将所述均热板的上表面与散热层通过电镀工艺、钎焊工艺、真空扩散焊工艺或回流焊工艺进行焊接；

所述散热层的材料为铜；

通过激光工艺在所述散热层的内部加工微流道。

8.如权利要求1所述的功率放大器散热结构的制备方法，其特征在于，还包括：

通过激光或UV照射将所述载板与所述重新布线层及所述介质层分离，通过电镀工艺、植球工艺或回流焊工艺在所述重新布线层上植球。

9.一种功率放大器散热结构，其特征在于，包括：

重新布线层，所述重布线层包括导电线路及导电线路之间的介质层；

导电柱，伫立于所述重新布线层上；

导电层，附连于所述重新布线层；

芯片，附连于所述导电层上，所述导电柱位于所述芯片的四周；

均热板，附连于所述芯片上；

塑封层，包覆所述均热板的侧面、所述导电柱的侧面；

散热层，覆盖所述塑封层的顶面、所述均热板的顶面、以及所述导电柱的顶面，附连至所述导电柱和所述均热板。

10.如权利要求9所述的功率放大器散热结构，其特征在于，所述均热板包括分别带有凹槽的上盖板和下盖板，所述上盖板和下盖板扣合密封，形成所述均热板的外框架，两个所述凹槽形成密封腔体，两个所述凹槽的侧边具有位置相对应的进液口，两个所述凹槽的底面具有位置相对应的支撑结构，在两个所述凹槽中的至少一个的底面形成多孔介质层，在所述腔体内具有冷却工质。