[发明专利]一种激光器及其制作方法在审
申请号: | 202010833416.7 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN111817136A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 刘建平;胡磊;任霄钰;张立群;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01S5/20 | 分类号: | H01S5/20;H01S5/22 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体激光器的制作方法,该制作方法包括:在衬底上依序层叠形成第一光限制层和有源层;在有源层上形成厚度小于限光最低厚度的第二光限制层,其中,限光最低厚度指的是能够对光进行限制的光限制层的最低厚度;在第二光限制层上形成由透明导电氧化物制成的光限制补偿层,光限制补偿层用于结合第二光限制层以实现对光的限制。本发明还公开了一种氮化镓基激光器。本发明解决了现有的氮化镓基激光器的效率较低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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