[发明专利]一种激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依序层叠形成第一光限制层和有源层；

在所述有源层上形成厚度小于限光最低厚度的第二光限制层，其中，所述限光最低厚度指的是能够对光进行限制的光限制层的最低厚度；

在所述第二光限制层上形成由透明导电氧化物制成的光限制补偿层，所述光限制补偿层用于结合所述第二光限制层以实现对光的限制。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述光限制补偿层之前，所述制作方法还包括：在所述第二光限制层上形成欧姆接触层；

其中，所述光限制补偿层在所述欧姆接触层形成之后，并且形成在所述欧姆接触层上。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

对所述第二光限制层、欧姆接触层和所述光限制补偿层进行部分刻蚀，以形成脊形结构；

在所述脊形结构的两侧分别形成绝缘层。

4.根据权利要求1至3任一所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一光限制层之前，所述制作方法还包括：在所述衬底上形成缓冲层；

其中，所述第一光限制层在所述缓冲层形成之后，并且形成在所述缓冲层上。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在形成所述有源层之前，所述制作方法还包括：在所述第一光限制层上形成第一波导层；

其中，所述有源层在所述第一波导层形成之后，并且形成在所述第一波导层上。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第二光限制层之前，所述制作方法还包括：在所述有源层上依序层叠形成第二波导层和电子阻挡层；

其中，所述第二光限制层在所述第二波导层和所述电子阻挡层形成之后，并且形成在所述电子阻挡层上。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述衬底的背向所述第一光限制层的表面上形成第一电极；

在所述光限制补偿层的背向所述衬底的表面上形成第二电极。

8.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底以及依序层叠在所述衬底上的第一光限制层、有源层、第二光限制层和光限制补偿层；其中，所述第二光限制层的厚度小于限光最低厚度，所述限光最低厚度指的是能够对光进行限制的光限制层的最低厚度；所述光限制补偿层用于结合所述第二光限制层以实现对光的限制。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述半导体激光器还包括：缓冲层、第一波导层、第二波导层、电子阻挡层、欧姆接触层、第一电极和第二电极；其中，所述缓冲层夹设在所述衬底与所述第一光限制层之间，所述第一波导层夹设在所述第一光限制层与所述有源层之间，所述第二波导层和所述电子阻挡层依序夹设在所述有源层与所述第二光限制层之间，所述欧姆接触层夹设在所述第二光限制层与所述光限制补偿层之间，所述第一电极设于所述衬底的背向所述第一光限制层的表面上，所述第二电极设于所述光限制补偿层的背向所述衬底的表面上。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第二光限制层背向所述衬底的表面上设有脊形凸面，所述欧姆接触层和所述光限制补偿层依序层叠在所述脊形凸面上以形成脊形结构；所述脊形结构的两侧分别形成有绝缘层。