[发明专利]一种CMOS低失真低噪声放大器电路在审

专利信息
申请号: 202010830059.9 申请日: 2020-08-18
公开(公告)号: CN111934627A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 郭本青;陈鸿鹏;邬经伟 申请(专利权)人: 成都信息工程大学
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/45
代理公司: 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 代理人: 王伟
地址: 610225 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开一种CMOS低失真低噪声放大器电路,应用于射频集成电路领域,针对现有技术中放大器电路的三阶交调线性度在0dBm以下,也难于应对大信号干扰环境的问题;本发明的跨导输入级采用互补共源级结构,使得电流效率加倍;线性提高级采用互补共射级来改善互补共源级的小信号线性度;反馈级采用源随器解决非线性有源反馈的二阶相互作用问题;片外元件与输入寄生电容构成π型匹配网络增强输入匹配带宽,从而避免使用片上大容量电感;共模反馈电路则通过检测低噪放电路的输出端口的共模电压,并与参考电压进行比较,得到的误差信号通过偏置电阻反馈连接到Mp1、Mp2的栅极,进行动态调整,使得电路工作在稳定的直流工作点。
搜索关键词: 一种 cmos 失真 低噪声放大器 电路
【主权项】:
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