[发明专利]一种CMOS低失真低噪声放大器电路在审
| 申请号: | 202010830059.9 | 申请日: | 2020-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN111934627A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 郭本青;陈鸿鹏;邬经伟 | 申请(专利权)人: | 成都信息工程大学 |
| 主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
| 地址: | 610225 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 cmos 失真 低噪声放大器 电路 | ||
1.一种CMOS低失真低噪声放大器电路,其特征在于,包括:跨导放大级、线性提高级、反馈级、输出负载级、共模反馈电路以及片外元件;
所述跨导放大级第一端通过电感LL接交流信号正输入端口Vrfin+,用于接收射频正极性输入交流小信号,跨导放大级第二端接共模反馈电路输出端Vfb,跨导放大级第三端通过电感LR接交流信号负输入端口Vrfin-,用于接收与射频正输入信号相位差为180度的射频负输入交流小信号,跨导放大级第四端接放大器电路的正极性射频信号输出端口Vout+,用于输出经低噪声放大器放大后的交流小信号,跨导放大级第五端接放大器电路的负极性射频信号输出端口Vout-,用于输出经低噪声放大器放大后的交流小信号;
所述线性提高级第一端通过电感LL接射频信号正输入端口Vrfin+,线性提高级第二端接正输出端口Vout+,线性提高级第三端接负输出端口Vout-,线性提高级第四端通过电感LR接射频信号负输入端口Vrfin-;
所述反馈级第一端通过电感LL接射频信号正输入端口Vrfin+,反馈级第二端通过电感LL接射频信号负输入端口Vrfin-,反馈级第三端接正输出端口Vout+,反馈级第四端接负输出端口Vout-,反馈级第五端接正输出端口Vout+,反馈级第六端接负输出端口Vout-;
所述输出负载级第一端接正输出端口Vout+,输出负载级第二端接地,输出负载级第三端接负输出端口Vout-,输出负载级第四端接地;
所述共模反馈电路第一端接正输出端口Vout+,共模反馈电路第二端接负输出端口Vout-,共模反馈电路第三端为共模反馈电路输出端口Vfb;用于接收共模反馈电路输出电压,从而对两个PMOS管提供直流偏置;
所述片外元件至少包括电感LL、电感LR。
2.根据权利要求1所述的一种CMOS低噪声低失真放大器,其特征在于,所述跨导放大级包括PMOS晶体管Mp1、PMOS晶体管Mp2、NMOS晶体管Mn1、NMOS晶体管Mn2、电容CL1、电容CL2、电容CR1、电容CR2;
PMOS晶体管Mp1栅极与电容CL1第一端连接,电容CL1第二端作为跨导放大级第一端,PMOS晶体管Mp1源级接VDD,PMOS晶体管Mp1漏极接NMOS晶体管Mn1漏极;NMOS晶体管Mn1栅极与电容CL2第一端连接,电容CL2第二端与电容CL1第二端相连,NMOS晶体管Mn1源级接地,NMOS晶体管Mn1漏极作为跨导放大级第四端;PMOS晶体管MP2栅极与电容CR1第一端相连,电容CR1第二端作为跨导放大级第三端,PMOS晶体管MP2源级接VDD,PMOS晶体管MP2漏极接NMOS晶体管Mn2漏极;NMOS晶体管Mn2栅极接电容CR2第一端,电容CR2第二端接电容CR1第二端,NMOS晶体管Mn2源级接地,NMOS晶体管Mn2漏极作为跨导放大级第五端。
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