[发明专利]激光退火装置和使用其的薄膜结晶化方法在审
| 申请号： | 202010823805.1 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN112397378A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李童敏;金志桓;徐宗吾;苏炳洙 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 李晓伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了激光退火装置和使用激光退火装置的薄膜结晶化方法。激光退火装置包括工作台、激光产生器和反射构件。工作台对形成有待处理的薄膜的衬底进行支承，并且以设定或预定的速度在第一方向上移动。激光产生器在工作台移动的期间用激光束照射薄膜的第一区域。反射构件将从薄膜的第一区域被反射的激光束的一部分反射到薄膜的第二区域。第一区域和第二区域彼此间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 使用 薄膜 结晶 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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