[发明专利]激光退火装置和使用其的薄膜结晶化方法在审
申请号: | 202010823805.1 | 申请日: | 2020-08-17 |
公开(公告)号: | CN112397378A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 李童敏;金志桓;徐宗吾;苏炳洙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/67 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李晓伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 使用 薄膜 结晶 方法 | ||
1.一种激光退火装置,包括:
工作台,所述工作台对形成有待处理的薄膜的衬底进行支承,并且以设定速度在第一方向上移动;
激光产生器,所述激光产生器在所述工作台移动的期间用激光束照射所述薄膜的第一区域;以及
反射构件,所述反射构件将从所述薄膜的所述第一区域被反射的所述激光束的一部分反射到所述薄膜的第二区域,
其中,所述第一区域和所述第二区域彼此间隔开。
2.如权利要求1所述的激光退火装置,其中,所述反射构件的反射角确定为使得所述第一区域和所述第二区域彼此间隔开。
3.如权利要求1所述的激光退火装置,其中,所述第一区域和所述第二区域在与所述第一方向相反的第二方向上彼此间隔开设定距离。
4.如权利要求1所述的激光退火装置,其中,从所述激光产生器发射的所述激光束的一部分在所述第一区域中被吸收,所述激光束的剩余部分从所述第一区域被反射后入射到所述反射构件。
5.如权利要求1所述的激光退火装置,其中,照射到所述第一区域的所述激光束在能量上高于照射到所述第二区域的所述激光束。
6.如权利要求1所述的激光退火装置,其中,照射到所述第一区域的所述激光束为入射光束,所述入射光束之中从所述第一区域被反射的所述激光束为反射光束,并且所述反射光束之中从所述反射构件被反射并且照射到所述第二区域的激光束为再入射光束。
7.如权利要求6所述的激光退火装置,其中,在所述薄膜上所述入射光束与所述再入射光束之间的距离由以下表达式确定:
表达式:Dvt
其中,D是所述入射光束与所述再入射光束之间的距离,v是所述工作台的所述设定速度,并且t是在被所述再入射光束照射之后所述薄膜的温度恢复到室温的时间。
8.如权利要求7所述的激光退火装置,其中,所述反射构件的反射角根据所述薄膜上的所述入射光束与所述再入射光束之间的所述距离D来确定。
9.如权利要求6所述的激光退火装置,其中,通过所述入射光束在所述薄膜上执行结晶化工艺,并且通过所述再入射光束在所述薄膜上执行脱氢工艺。
10.如权利要求6所述的激光退火装置,其中,所述入射光束相对于所述工作台的顶表面以小于90度的角度照射,并且所述再入射光束相对于所述工作台的所述顶表面以大于90度的角度照射。
11.如权利要求10所述的激光退火装置,其中,所述入射光束和所述再入射光束彼此交叉。
12.如权利要求9所述的激光退火装置,其中,在所述工作台移动的期间以及在所述薄膜上执行所述脱氢工艺之后,执行所述结晶化工艺。
13.如权利要求1所述的激光退火装置,还包括:
至少一个绝缘层,所述至少一个绝缘层位于所述衬底与所述薄膜之间。
14.一种使用激光退火装置的薄膜结晶化的方法,所述方法包括:
将形成有待处理的薄膜的衬底定位在工作台上;
以设定或预定的速度在第一方向上移动所述工作台;
用激光束照射所述薄膜的第一区域;以及
通过反射构件将从所述薄膜的所述第一区域被反射的所述激光束的一部分反射到所述薄膜的第二区域,
其中,在所述工作台移动的期间,在通过照射到所述第二区域的所述激光束的所述一部分执行脱氢工艺之后,通过照射到所述第一区域的所述激光束执行结晶化工艺。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述第一区域和所述第二区域彼此间隔开,并且所述第二区域在与所述第一方向相反的第二方向上和所述第一区域间隔开。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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