[发明专利]半导体存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010822815.3 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112635471A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙龙勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体存储器件及其制造方法。可以提供该方法，包括：通过在衬底上交替堆叠多个第一绝缘层和多个第二绝缘层来形成模制结构；对模制结构进行图案化以形成第一沟槽，第一沟槽暴露模制结构的第一内侧壁；使用衬底作为种子，在第一沟槽中生长竖直半导体层，使得竖直半导体层覆盖第一内侧壁；对模制结构进行图案化以形成第二沟槽，第二沟槽暴露模制结构的第二内侧壁；通过从模制结构中经由第二沟槽选择性地去除第二绝缘层来形成多个凹陷；以及使用竖直半导体层作为种子，在相应的凹陷中水平生长多个水平半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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