[发明专利]一种背面边缘带绝缘沟槽的IGBT有效
| 申请号： | 202010822541.8 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112599596B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;李健;黄传伟 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 郭成文 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种背面边缘带绝缘沟槽的IGBT，旨在解决现有技术中边缘区域电流密度大，容易烧毁的问题，其技术要点在于包括集电极、发射极及主体部，所述主体部指向所述背离金属层一侧设置有若干沟槽，所述沟槽位于所述主体部靠近边缘处。通过在主体部指向集电极一侧设置沟槽，使得沟槽处没有电流流过，从而调节IGBT边缘的电流密度。同时，流经IGBT正面边缘的电流密度也会降低，从而使得由于原来电流密度过大容易损坏的IGBT正面边缘区域得到保护，增强IGBT器件的使用寿命和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 边缘 绝缘 沟槽 igbt | ||
【主权项】：
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