[发明专利]一种背面边缘带绝缘沟槽的IGBT有效
| 申请号： | 202010822541.8 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112599596B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;李健;黄传伟 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 郭成文 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背面 边缘 绝缘 沟槽 igbt | ||
【权利要求书】：
1.一种背面边缘带绝缘沟槽的IGBT，包括集电极(1)、发射极(2)及主体部(3)，其特征在于：所述主体部（3）包括由下到上依次设置的P+集电层、N+缓冲层、N-基区及N+有源区，在所述N+有源区的顶面覆盖有氧化层，其中所述集电极（1）位于所述P+集电层的下方，为覆盖在所述P+集电层外侧的一层金属层，所述发射极（2）为覆盖在氧化层背离所述N+有源区一侧的金属层，所述主体部(3)指向背离所述集电极（1）的金属层一侧设置有若干沟槽(4)，所述沟槽(4)位于所述主体部(3)靠近边缘处；
所述沟槽(4)设置为两组，两组所述沟槽(4)分别位于所述主体部(3)长度方向的两侧，同组所述沟槽(4)相邻之间的距离为1μm，靠近所述主体部(3)长度方向端部的沟槽(4)与所述主体部(3)侧边的距离为1μm；
所述沟槽(4)的宽度为1μm；
所述沟槽(4)的深度为1μm；
所述沟槽(4)的数量设置为2-4。
2.根据权利要求1所述的背面边缘带绝缘沟槽的IGBT，其特征在于：所述沟槽(4)内填充有二氧化硅。
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