[发明专利]一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法有效
| 申请号： | 202010813864.0 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111916347B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 向华兵;张晓琴;李仁豪;黄建;吴雪飞;高建威 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 何君苹 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，包括在所述SOI片的表面生长一层氧化层；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成扩散阻挡层；对所述SOI片进行液态磷扩散掺杂；去除所述SOI片表面上的磷硅玻璃和扩散阻挡层；清洗SOI片表面，并在该SOI片表面淀积二氧化硅保护层；对SOI片表面进行推结工艺得到液态磷的扩散深度；去除SOI片表面的二氧化硅保护层；采用液态磷源POCl |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 soi 扩散 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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